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フローティング・ゲート中の電荷の話ならデータが満杯なのか空なのかではなく電荷が詰まっているか飛んでいるかでの差で考える必要があるような気がする。
あと1つのフローティング・ゲートにいくつの電子が入る事を想定して計算してるんだろ?
フローティング・ゲートの中の電荷で値を変えるのはNAND Flashだから理解出来るだけ別に電子を1つだけ入れるわけではない。SLC時代なら原理的には電子1つで値を判別出来る可能性も否定しないけどMLC/TLC/QLCと多値になると当然ながら1つあるかないかだけで判断する事は出来ない。実装例がどのぐらいあるか知らんけど1cellあたり2.5bitのNAND Flashだと電荷が詰まってる状態を使うかどうかという話も。
と、素人考え。
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にわかな奴ほど語りたがる -- あるハッカー
そうなのかなあ？ (スコア:0)
フローティング・ゲート中の電荷の話ならデータが満杯なのか空なのかではなく
電荷が詰まっているか飛んでいるかでの差で考える必要があるような気がする。
あと1つのフローティング・ゲートにいくつの電子が入る事を想定して計算してるんだろ?
フローティング・ゲートの中の電荷で値を変えるのはNAND Flashだから理解出来るだけ
別に電子を1つだけ入れるわけではない。SLC時代なら原理的には電子1つで値を判別
出来る可能性も否定しないけどMLC/TLC/QLCと多値になると当然ながら1つあるか
ないかだけで判断する事は出来ない。実装例がどのぐらいあるか知らんけど
1cellあたり2.5bitのNAND Flashだと電荷が詰まってる状態を使うかどうかという話も。
と、素人考え。