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外挿が雑すぎるというか、いかに寡占とはいえ作ってる人たちが評価基準を作るのが間違ってる。もう密度でいいんじゃないの？平面と立体を併記すれば誤解もないだろう。
距離で言われると、性能が反比例して無駄な電力消費も反比例しそうな印象があるから、ズルいんだよな。
Tr_count/mm^2 でいいよねTr_count/mm^3 は時期尚早?# /cm^2じゃ多すぎる?
>>1nmプロセスの何が1nmか不明だけど、とにかく水素原子の10個分。
数十年昔ですらEEPROMのゲート酸化膜厚が酸素原子何個分とか話をしていたが、今のロジックのゲート酸化膜厚はどの程度なのかな？
面積が問題なのだから、別に厚くなってもいいじゃない？少しでも電気抵抗を下げるために配線の高さがどんどん高くなったこともあるし。
結局本当の配線の幅はどれだけなのだろうか？
https://ja.wikipedia.org/wiki/ [wikipedia.org]単一電子トランジスタかつては10nm以下は無理じゃね？って言われてたけど現時点で名目上はそれを超えてしまっているなら、このまま名目上で1nmに到達するんじゃない？
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アレゲはアレゲ以上のなにものでもなさげ -- アレゲ研究家
本当に1nmなら水素原子の10個分。 (スコア:2)
1nmプロセスの何が1nmか不明だけど、とにかく水素原子の10個分。
そのまま事実みたいに受け止めて「たったの10個分！」「そんなに小さいんですか！！」みたいな会話が聞こえそう。
ずっと前にＴＳＭＣ自らがNnmプロセスのNに対応する実態が存在しない と説明しているし、配線の太さも、配線の中心間距離も関係なくなっている。そもそも最小配線の太さだって、配線の材質、位置によって違う。昔は銅単一だったけど、今は中心部はニッケルで保護のためにタングステンかなにかで覆っている。幅が１０原子しかないなら覆いの部分で最低２原子使うし、境界部分の密度は低そう。
ゲートだとしても、皿型から蒲鉾になって、ひらひら付き、そうめん状と形も変化している。
しかし、トンネル効果はどうなっているのだろうか？マックスウエルの悪魔の実現可能性分析の中でトンネル効果、熱雑音により原子を掴むことはおろか、手を制御することも難しいという話はよくある。
三体のように、そもそも原子で構成されていないという時代がくるのだろうか。
Re: (スコア:0)
外挿が雑すぎるというか、いかに寡占とはいえ作ってる人たちが評価基準を作るのが間違ってる。もう密度でいいんじゃないの？平面と立体を併記すれば誤解もないだろう。
距離で言われると、性能が反比例して無駄な電力消費も反比例しそうな印象があるから、ズルいんだよな。
Re: (スコア:0)
Tr_count/mm^2 でいいよね
Tr_count/mm^3 は時期尚早?
# /cm^2じゃ多すぎる?
Re: (スコア:0)
>>1nmプロセスの何が1nmか不明だけど、とにかく水素原子の10個分。
数十年昔ですらEEPROMのゲート酸化膜厚が酸素原子何個分とか話をしていたが、今のロジックのゲート酸化膜厚はどの程度なのかな？
Re: (スコア:0)
面積が問題なのだから、別に厚くなってもいいじゃない？少しでも電気抵抗を下げるために配線の高さがどんどん高くなったこともあるし。
Re: (スコア:0)
結局本当の配線の幅はどれだけなのだろうか？
Re: (スコア:0)
https://ja.wikipedia.org/wiki/ [wikipedia.org]単一電子トランジスタ
かつては10nm以下は無理じゃね？って言われてたけど
現時点で名目上はそれを超えてしまっているなら、このまま名目上で1nmに到達するんじゃない？