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東北大、電子の電荷とスピンを利用した待機電力ゼロのLSIを開発 [srad.jp]
去年のこれと何が違うの、教えておにいさん。
前回(昨年)の発表(「不揮発性を高めた新構造MTJ素子を世界で初めて実現 超低消費電力システムLSIの実現へ向けた、 不揮発性スピントロニクス素子の性能向上」 [tohoku.ac.jp])は、
システムLSIの待機電力をゼロにするために記録素子として利用する垂直磁化MTJ素子において、新構造を採用することによりその不揮発性を高めることに成功しました。
このMTJ素子の不揮発性の向上により、機器を制御し省エネルギー動作をさせる頭脳であるシステムLSIの超低消費電力実現へ大きく前進しました。
とあるので、「この素子をシステムLSIに載せれば凄いことになるよ」という段階だった。で、今回(待機電力ゼロのロジック混載用高速高集積不揮発性メモリの動作実証に世界で初めて成功 [tohoku.ac.jp])は
本メモリは、標準シリコンCMOS回路上に東北大学で開発したMTJ試作技術を用いて、３００ｍｍウエハー上に試作したCMOS回路上に微細スピントロニクスデバイス部分を作製し、原理動作実証に成功したものです。
とあるから、実際にCMOS論理回路とMTJ素子を混載したLSIを作って動作させることに成功しましたってこと。「実際にMTJ素子をシステムLSIに載せられるところまでいけそうですよ」っていう感じかな。
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目玉の数さえ十分あれば、どんなバグも深刻ではない -- Eric Raymond
デジャヴ (スコア:2)
東北大、電子の電荷とスピンを利用した待機電力ゼロのLSIを開発 [srad.jp]
去年のこれと何が違うの、教えておにいさん。
Re:デジャヴ (スコア:5, 参考になる)
前回(昨年)の発表(「不揮発性を高めた新構造MTJ素子を世界で初めて実現 超低消費電力システムLSIの実現へ向けた、 不揮発性スピントロニクス素子の性能向上」 [tohoku.ac.jp])は、
とあるので、「この素子をシステムLSIに載せれば凄いことになるよ」という段階だった。で、今回(待機電力ゼロのロジック混載用高速高集積不揮発性メモリの動作実証に世界で初めて成功 [tohoku.ac.jp])は
とあるから、実際にCMOS論理回路とMTJ素子を混載したLSIを作って動作させることに成功しましたってこと。「実際にMTJ素子をシステムLSIに載せられるところまでいけそうですよ」っていう感じかな。