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アレゲはアレゲ以上のなにものでもなさげ -- アレゲ研究家
メモリのリーク≠CPUのリーク (スコア:4, 参考になる)
つまり、リフレッシュレート(DRAMの現在の主流は64ms)を長くしても データ保持はできますよ、という意味のようです。
対してCPUのリーク電流の話は、配線自身がキャパシタの役割をしてしまい、
配線の入力側で電位の変化があっても、その情報が配線上で中和されてしま
Re:メモリのリーク≠CPUのリーク (スコア:4, 参考になる)
CPUの発熱源の消費電力はdynamicなもの(トランジスタがスイッチングするときに発生するもの)とstaticなもの(スイッチングしていなくても発生するもの)があって、ikuuyaさんの指摘しているのはdynamicの方ですね。
今後(今も？)問題になるのはどちらかというとstaticなものの方です。
高集積化のためにトランジスタを縮小すると、スレショルド電圧が下がるんです。OFF時も完全にカットオフしてくれなくなって、電流がじょろじょろ漏れる、これがリーク電流。アイドル電流が常時大量に流れるので、発熱する
Re:メモリのリーク≠CPUのリーク (スコア:0)
トランジスタを縮小するとスレッショルド電圧が下がるのではなく
て、下げられるんです。なぜ下げたいかというと高速化したいか、
電源電圧を下げたい（消費電力を下げたい）からです。
Re:メモリのリーク≠CPUのリーク (スコア:0)
あと、よくわからないのは
>電源電圧を下げたい（消費電力を下げたい）からです。
って、流れからするにdyamic電力のこと?
Re:メモリのリーク≠CPUのリーク (スコア:2, 興味深い)
> 高集積化のためにトランジスタを縮小すると、スレショルド電圧が下がるんです。
この文が誤解を招くと。トランジスタの縮小が、スレッショルド電
圧を下げる原因ではないですから。スレッショルド電圧は不純物を
ゲート下にどれだけ打ち込むかで決まります。（使えるかどうかは
ともかく）
> >電源電圧を下げたい（消費電力を下げたい）からです。
> って、流れからするにdyamic電力のこと?
そうです。待機電力を下げようと思ったら、ゲート絶縁膜を薄くす
る（または誘電率の高い材料に変える）かSOIにするくらいしか手
はないんじゃないかな？要はトランジスタの微細化に、ゲート絶縁
膜の薄膜化が追いついていない（短チャネル効果と呼びます）とい
うことです。何せ今やシリコン原子が数十個～十数個しか並ばない
くらい薄くなってますから。
Re:メモリのリーク≠CPUのリーク (スコア:0)
> トランジスタの縮小が、スレッショルド電圧を下げる原因ではないですから。
すみません、実はここだけ自信がありませんでした。
こんな指摘を待っていました（笑）
スレショルド電圧を下げたいのは、信号振幅を小さくして、速度を稼ぐのと同時にdynamicな消費電
Re:メモリのリーク≠CPUのリーク (スコア:0)
#671289のACの、
>もちろん、スレショルド電圧を上げてやれば止められるんですが（以下略）
って、高Vthのトランジスタについて語ってるものかと思ってしまった。
#671415のAC、すまぬ。