「カーボン・ナノチューブ、 45nm以降は銅配線よりも有効に」記事へのコメント

よく分からない

[glasstic (32934)]

CNTの配線が低抵抗で、微細化できるのは分かっていたと思いますが、
低発熱になるってのがよく分からない。

LSIの発熱（消費電力）のほとんどは、トランジスタの部分で、
残りは配線間の容量による損失だと思っていました。
CNTにしたら、何が解決するのでしょうか。元記事を読んでもよく分かりませんでした。
量子力学で、その辺りが説明できるのでしょうか？

高温環境下での金属内電導の限界（Re:よく分からない）

[Artane. (1042)]

肝は、 プレスリリース [rpi.edu]のこの辺では？

The size of computer chips has shrunk dramatically over the past decade, but has recently hit a bottleneck, Nayak said.
Interconnects, the tiny copper wires that transport electricity and information around the chip and to other chips, have also shrunk.
  As interconnects get smaller, the copper’s resistance increases and its ability to conduct electricity degrades.
This means fewer electrons are able to pass through the copper successfully, and any lingering electrons

Re:高温環境下での金属内電導の限界

[glasstic (32934)]

そこしか言及している部分がないと思いますが、結局のところ抵抗が下がると言うことですよね。
配線抵抗は、LSIの消費電力にあまり影響しないでしょう。動作速度には影響しますが。

消費電力は何かと考えると、結局のところ負荷容量の充放電です。（最近はこれに加えてリーク電流もあります）
MOSのゲート容量や、配線容量が下がれば消費電力も減るでしょうが、
抵抗が減っても充放電が速くなるだけで、充放電のエネルギーは変わりません。

CNT配線で配線遅延が減れば、同じ速度を保つなら、その分銅配線よりもMOSを遅くすることができ、結果的にリーク電流が減る。
こういう、遠まわしな考えはできなくもないですが。

Re:高温環境下での金属内電導の限界

[the.ACount (31144)]

小さくすれば容量は減って抵抗が増えるから、微細化の障害は抵抗の方だって事でしょう。

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the.ACount