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リンク先みれば適当な溶媒に溶かして、安全にインクとして扱うことができることが書いてあるよ。
ポリシランを使って簡便に酸素を除去する方法http://www.patentjp.com/07/F/F100010/DA10102.html [patentjp.com]なんてのもありますね。
現時点での効率は0.5%程度ということで確かに低いんですけど、シリコンは不純物等に非常に敏感な材料なので、こんな製法で動くモノが出来るというだけでまず驚きますね。（逆にCIGSなどは不純物に鈍感なので、塗って焼くだけという製法も可能 [nanosolar.com]。さすがに性能は落ちるけど。）
太陽電池としての実用化までのハードルとしては・アモルファスシリコン１層だけの変換効率をCVD並に高める・禁制帯幅を変えた材料でも造れるようにして積層し、効率をさらに上げる（現行技術では、研究レベルだと安定化前で１３％超 [nikkei.com]）が挙げられます。
ここで現行の薄膜シリコン太陽電池では、CVDでシリコン薄膜を形成する速度が量産コストに大きく影響するので、これをもっと速められないかというのが永遠の課題になってます。2nm/secを超えたら「高速」と言われる世界 [nikkei.com]。もしこの技術で、性能を保ったまま成膜速度が劇的に上がったら、製造コストがドカンと下がるかも。
太陽電池用だと発火しないようにするのが大変そうですね。
ところで自分が用途として思ったのは半導体とは関係ないおっぱいシリコン。やわらかさが増すとか、ゲームで揺れすぎなあれの再現とか。
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アレゲはアレゲを呼ぶ -- ある傍観者
すごいですね (スコア:1, 興味深い)
コストが十分安ければ，近い将来実用化できそうです。
ただ，液体Siはすぐに発火するので，低酸素下で製作しなければならないというのは
真空が必要なくてもやっぱりそれなりの製造設備が必要ですね。
Re:すごいですね (スコア:2, 参考になる)
リンク先みれば適当な溶媒に溶かして、安全にインクとして扱うことができる
ことが書いてあるよ。
Re: (スコア:0)
それならすごいですね。
Siインク，確かに普通の瓶に入れて写真撮ってますね。
（もしかしたら窒素充填されてたりして）
ただ，薄膜形成時の加熱（400度）にも発火しないのかが気になります。
Re:すごいですね (スコア:1, 参考になる)
ポリシランを使って簡便に酸素を除去する方法
http://www.patentjp.com/07/F/F100010/DA10102.html [patentjp.com]
なんてのもありますね。
Re: (スコア:0)
絶縁体になっちゃうじゃないか。
Re:すごいですね (スコア:2, 興味深い)
スピンコートして約400度で数十秒の加熱だけでO.K.ということなので、それほど大がかり装置にはならないと思います．
ちょっと気になるのはスピンコートの際のミストの処理をどうするのか．（通常は強力に排気してミストを吸い出してしまうのですが）
Re:すごいですね (スコア:2, 興味深い)
現時点での効率は0.5%程度ということで確かに低いんですけど、
シリコンは不純物等に非常に敏感な材料なので、こんな製法で動くモノが出来るというだけでまず驚きますね。
（逆にCIGSなどは不純物に鈍感なので、塗って焼くだけという製法も可能 [nanosolar.com]。さすがに性能は落ちるけど。）
太陽電池としての実用化までのハードルとしては
・アモルファスシリコン１層だけの変換効率をCVD並に高める
・禁制帯幅を変えた材料でも造れるようにして積層し、効率をさらに上げる（現行技術では、研究レベルだと安定化前で１３％超 [nikkei.com]）
が挙げられます。
ここで現行の薄膜シリコン太陽電池では、CVDでシリコン薄膜を形成する速度が量産コストに大きく影響するので、これをもっと速められないかというのが永遠の課題になってます。2nm/secを超えたら「高速」と言われる世界 [nikkei.com]。
もしこの技術で、性能を保ったまま成膜速度が劇的に上がったら、製造コストがドカンと下がるかも。
Re: (スコア:0)
太陽電池用だと発火しないようにするのが大変そうですね。
ところで自分が用途として思ったのは半導体とは関係ないおっぱいシリコン。
やわらかさが増すとか、ゲームで揺れすぎなあれの再現とか。