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まあそれまで生き残っていられるといいね。
焦点：難航するエルピーダ再建、複数の提携案も実現に懸念http://jp.reuters.com/article/topNews/idJPTJE80M00120120123 [reuters.com]
それ以前にコスト的に見合う物になればいいのですけど。
NANDフラッシュの値段下落も激しい物がありますしいくら性能が良くても同容量で値段が10倍とかだと売れないと思いますよ。
ReRAMはまずはDRAMの置き換えを狙っているので比較対象はNANDフラッシュではなく、DRAMでしょう。（もっとも、DRAMの価格下落も激しいですが・・・）
単なる代替品ではなく、省電力がかなり期待できるのでスマートフォンやタブレット向けなら少々高価でも採用されやすいのでは？
>ReRAMはまずはDRAMの置き換えを狙っているので比較対象はNANDフラッシュではなく、DRAMでしょう。そうなんですか?プレスリリースを見てもフラッシュメモリの代替を狙っているようにしか見えませんでしたけど。>NANDフラッシュメモリなど既存の不揮発性メモリに比べて高速で、書き換え回数も多い新メモリを低コストで提供できれば、（以上プレスリリースより引用）等と言う事も書いてありましたし。
ちなみにもしDRAMの代替狙いならなおさら難しいと思いますよ。不揮発であるというシステムメモリ向けだとそこまで重要ではない機能以外はDRAMとたいして差がないようですから。
プレスリリースの最後の一文にDRAMの代替と明記されているんですけど・・・
>エルピーダはDRAMで培った微細加工技術などをさらに発展させ、DRAMの機能を代替しうる将来有望な次世代メモリのReRAMの開発を推進いたします。
それは「将来的に代替できたらいいな」という記述であって、「まずはDRAMの置き換えを狙っている」ではないでしょう。今DRAM代替を狙うには、書き換え回数100万回じゃ全然足りてない。
書き換えが設計的に有限回数のメモリをDRAMと完全に置き換えるのは無理があると思う。
NAND Flashの10倍の書き換え寿命があると行っても、Flashが10万回程度の寿命(保証寿命)だとしてら10万×10倍で100万回程度？
特定部分を1MHzで毎回書き換えれば1秒で寿命がくるぞ。メインメモリとして使うDRAMは、用途によってはフルフルで使い続けることが多いだろうし大丈夫なのか？
書き換えが設計的に有限回数
ReRAMについては、ここの部分には解決技術が存在します。新たな原理による強誘電抵抗変化メモリーを開発 [aist.go.jp]
抜粋:強調は引用者による
従来のReRAMは酸化物の酸化還元反応、あるいは酸化物中の酸素欠陥の移動を利用しているが、今回開発したReRAMは酸化物強誘電体の電気分極反転を利用している。この新しい原理によって材料の劣化に起因するデータ書き換え特性や保持特性などの低下を解決できるので、機能性酸化物を用いた高密度不揮発性メモリーの実用化を前進させることが期待される。
desktopならともかく、mobile向けで不揮発高速なメインメモリは咽から手が出るほど欲しい。
メインメモリは今みたくすっかり忘れてくれる事があるからいいような気がする。データが残ったら残ったで何かあったときに悪さしそう。
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アレゲはアレゲ以上のなにものでもなさげ -- アレゲ研究家
2013年ねぇ・・・ (スコア:0)
まあそれまで生き残っていられるといいね。
焦点：難航するエルピーダ再建、複数の提携案も実現に懸念
http://jp.reuters.com/article/topNews/idJPTJE80M00120120123 [reuters.com]
Re: (スコア:0)
それ以前にコスト的に見合う物になればいいのですけど。
NANDフラッシュの値段下落も激しい物がありますしいくら性能が良くても同容量で値段が10倍とかだと売れないと思いますよ。
Re:2013年ねぇ・・・ (スコア:0)
ReRAMはまずはDRAMの置き換えを狙っているので比較対象はNANDフラッシュではなく、DRAMでしょう。
（もっとも、DRAMの価格下落も激しいですが・・・）
単なる代替品ではなく、省電力がかなり期待できるのでスマートフォンやタブレット向けなら少々高価でも採用されやすいのでは？
Re: (スコア:0)
>ReRAMはまずはDRAMの置き換えを狙っているので比較対象はNANDフラッシュではなく、DRAMでしょう。
そうなんですか?
プレスリリースを見てもフラッシュメモリの代替を狙っているようにしか見えませんでしたけど。
>NANDフラッシュメモリなど既存の不揮発性メモリに比べて高速で、書き換え回数も多い新メモリを低コストで提供できれば、
（以上プレスリリースより引用）
等と言う事も書いてありましたし。
ちなみにもしDRAMの代替狙いならなおさら難しいと思いますよ。
不揮発であるというシステムメモリ向けだとそこまで重要ではない機能以外はDRAMとたいして差がないようですから。
Re:2013年ねぇ・・・ (スコア:1)
プレスリリースの最後の一文にDRAMの代替と明記されているんですけど・・・
>エルピーダはDRAMで培った微細加工技術などをさらに発展させ、DRAMの機能を代替しうる将来有望な次世代メモリのReRAMの開発を推進いたします。
Re: (スコア:0)
それは「将来的に代替できたらいいな」という記述であって、「まずはDRAMの置き換えを狙っている」ではないでしょう。
今DRAM代替を狙うには、書き換え回数100万回じゃ全然足りてない。
Re: (スコア:0)
書き換えが設計的に有限回数のメモリをDRAMと完全に置き換えるのは無理があると思う。
NAND Flashの10倍の書き換え寿命があると行っても、Flashが10万回程度の寿命(保証寿命)だとしてら10万×10倍で100万回程度？
特定部分を1MHzで毎回書き換えれば1秒で寿命がくるぞ。
メインメモリとして使うDRAMは、用途によってはフルフルで使い続けることが多いだろうし大丈夫なのか？
Re:2013年ねぇ・・・ (スコア:4, 興味深い)
ReRAMについては、ここの部分には解決技術が存在します。
新たな原理による強誘電抵抗変化メモリーを開発 [aist.go.jp]
抜粋:強調は引用者による
Re: (スコア:0)
desktopならともかく、mobile向けで不揮発高速なメインメモリは
咽から手が出るほど欲しい。
Re:2013年ねぇ・・・ (スコア:2)
メインメモリは今みたくすっかり忘れてくれる事があるからいいような気がする。
データが残ったら残ったで何かあったときに悪さしそう。