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このSSD、同じ容量だとSamsungのTLCと同じぐらいの書き込み速度なんだけど。単にチップあたりの容量が増えて、チップの数が減ったからかな
積まれているコントローラのNANDへの同時アクセスチャンネル数が速度を決めるのですがだいたいどこも240-256GBを頂点に以降横並びか若干そこから下がっていきます。NANDを積めば積むだけ速くなる、わけではありません。もちろん、速度を決める要素としてはそれだけじゃないですが。プレクスターなどで採用が進んでいるMarvellの88SS9187を使う限りでは240GB以降のモデルは横並びでしょうね。
速度に関してですがMicronの場合はIMFTの20nm品NANDを使うとの事なので16KBのページサイズでアクセス、Samsungは4KB(と彼らは言うがNANDは8KB品、本当に4KB？)なのでアクセス粒度としてはSamsungが細かい（＝速い）ので未使用新品ピッカピカなスペック上の速度ではSamsungに軍配が上がります。
しかしTLCの耐久度はMLCの1/10程度とか言われているのでNANDの劣化に伴う速度低下はTLCを採用したSamsungの方が酷いんじゃないですかね？Samsung曰く通常より予備領域を多く取っているので問題ないと言っていますが。
Marvellの88SS9187は速度回復に自信があるようなのでMicronがどう仕込むか気になります。
>NANDの劣化に伴う速度低下同一の素子に書き込む回数が増えると、アクセス速度が遅くなるのですか？
TLCの書き込み回数/寿命が低いのは閾電圧のばらつきが理由ですよね。でも、それと書き込み速度の低下って関係ありますかね。書き込みに2ステップ必要なMLCに対して、TLCは書き込みに3ステップ必要。なので、書き込み速度自体が遅いのは分かります。ただ、TLCの耐久度がMLCの1/10だからといって、書き込み量によって低下する速度が、TLCの方が大きいというのは、どういう理屈なんでしょうか。
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アレゲは一日にしてならず -- アレゲ見習い
TLC? (スコア:0)
このSSD、同じ容量だとSamsungのTLCと同じぐらいの書き込み速度なんだけど。
単にチップあたりの容量が増えて、チップの数が減ったからかな
Re:TLC? (スコア:3, 参考になる)
積まれているコントローラのNANDへの同時アクセスチャンネル数が速度を決めるのですが
だいたいどこも240-256GBを頂点に以降横並びか若干そこから下がっていきます。
NANDを積めば積むだけ速くなる、わけではありません。
もちろん、速度を決める要素としてはそれだけじゃないですが。
プレクスターなどで採用が進んでいるMarvellの88SS9187を使う限りでは240GB以降のモデルは横並びでしょうね。
速度に関してですがMicronの場合はIMFTの20nm品NANDを使うとの事なので16KBのページサイズでアクセス、
Samsungは4KB(と彼らは言うがNANDは8KB品、本当に4KB？)なのでアクセス粒度としてはSamsungが細かい（＝速い）ので
未使用新品ピッカピカなスペック上の速度ではSamsungに軍配が上がります。
しかしTLCの耐久度はMLCの1/10程度とか言われているので
NANDの劣化に伴う速度低下はTLCを採用したSamsungの方が酷いんじゃないですかね？
Samsung曰く通常より予備領域を多く取っているので問題ないと言っていますが。
Marvellの88SS9187は速度回復に自信があるようなのでMicronがどう仕込むか気になります。
Re:TLC? (スコア:2)
>NANDの劣化に伴う速度低下
同一の素子に書き込む回数が増えると、アクセス速度が遅くなるのですか？
TLCの書き込み回数/寿命が低いのは閾電圧のばらつきが理由ですよね。
でも、それと書き込み速度の低下って関係ありますかね。
書き込みに2ステップ必要なMLCに対して、TLCは書き込みに3ステップ必要。
なので、書き込み速度自体が遅いのは分かります。
ただ、TLCの耐久度がMLCの1/10だからといって、書き込み量によって低下する速度が、
TLCの方が大きいというのは、どういう理屈なんでしょうか。