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SSDは、電源切ってしばらく放置するとデータが消えてしまうむかしの微細化されてないころのNANDだと、メーカーのカタログスペックで10年、実際は20年以上とか持ったけど、いまどきの微細化されたNANDは、電源切った状態でのデータ保持能力がかなり落ちてる
フラッシュメモリに無期限にデータが保持されるとは思わないし、微細化や多値化がマイナスに働くだろうこともまあ納得はできるのですが、電源入れてる・入れてないも関係するんですか？
電源が入っている（利用されている） ≒ メモリセルの更新が起こっている、ということなのでしょうか。
現状はやられてませんが、付加価値オプションでいいからDRAMというかPSRAMみたいにセルフリフレッシュしてほしいです。書き換えサイクル寿命の方を消費しますが、それは人力でやっても一緒なので。
やるかやってないかで言えばウェアレベリングのついでにやってるでしょ
電源が入っている（利用されている） ≒ メモリセルの更新が起こっている
どうもそのようです。定期的に書き直ししている(Static wear leveling) [wikipedia.org]ブツもいると
それはセルの更新回数を均一化してドライブの寿命を伸ばすためでしょうデータが消えるからやってるわけではない
自己レスその結果書き換えが起こっているから消えないって意味ではそうですね
1ビットで少数小容量だからあんまし騒がれないVista頃のSSDシステムドライブとか結構死んでんじゃないかな
データリテンションというのもあった。いま出先なのでリンクは示せないが、とくにNANDは化けるのでECCごと書き直すのだ
そんなことしてません、元コメが単なるデマです。むしろ電源入れない方がデータ化けが減ります。
最近特に問題なのが、Read Disturbと呼ばれる、書き込みしなくても読み込みしたときに隣のセルのデータが化ける現象。もちろんエラー訂正等で十分に問題ないレベルに抑えられてますが、Readだけでもしない方がデータ保持には有利です。
時代やメーカーにもよるかもしれないけど、そんなことをしているところはしてますよ。Read disturbが起こるのは事実だけど、エラー訂正を抜きにした素のNANDのdata retentionが弱くなったのも事実。なので、どちらか一方を無視するのではなく、いい塩梅でバランスを取ります。
Data retentionは3D化で少し盛り返したので、今のところ2D末期が最弱。
エラー訂正は電源入れてようが入れてなかろうが、読みだすときには働くから関係ないかと。
メモリセルのリフレッシュをここ数年のNANDフラッシュでやってますか？書き換え可能回数が少ないNANDフラッシュではしないと思うけど。
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犯人は巨人ファンでA型で眼鏡をかけている -- あるハッカー
電源切ってデータが保持される期間も考慮してほしい (スコア:2, 興味深い)
SSDは、電源切ってしばらく放置するとデータが消えてしまう
むかしの微細化されてないころのNANDだと、メーカーのカタログスペックで10年、実際は20年以上とか持ったけど、
いまどきの微細化されたNANDは、電源切った状態でのデータ保持能力がかなり落ちてる
Re:電源切ってデータが保持される期間も考慮してほしい (スコア:3)
フラッシュメモリに無期限にデータが保持されるとは思わないし、微細化や多値化がマイナスに働くだろうこともまあ納得はできるのですが、電源入れてる・入れてないも関係するんですか？
電源が入っている（利用されている） ≒ メモリセルの更新が起こっている、ということなのでしょうか。
Re:電源切ってデータが保持される期間も考慮してほしい (スコア:3)
現状はやられてませんが、付加価値オプションでいいからDRAMというかPSRAMみたいにセルフリフレッシュしてほしいです。
書き換えサイクル寿命の方を消費しますが、それは人力でやっても一緒なので。
Re: (スコア:0)
やるかやってないかで言えばウェアレベリングのついでにやってるでしょ
Re:電源切ってデータが保持される期間も考慮してほしい (スコア:1)
どうもそのようです。定期的に書き直ししている(Static wear leveling) [wikipedia.org]ブツもいると
Re: (スコア:0)
それはセルの更新回数を均一化してドライブの寿命を伸ばすためでしょう
データが消えるからやってるわけではない
Re: (スコア:0)
自己レス
その結果書き換えが起こっているから消えないって意味ではそうですね
Re: (スコア:0)
1ビットで少数小容量だからあんまし騒がれない
Vista頃のSSDシステムドライブとか結構死んでんじゃないかな
Re: (スコア:0)
データリテンションというのもあった。いま出先なのでリンクは示せないが、とくにNANDは化けるのでECCごと書き直すのだ
Re: (スコア:0)
データ保持していますが、ホットエレクトロン自体は
・自然に抜ける（低温だと抜けやすかった記憶があります）
・読み出し時の電荷で抜ける
当初は（製品寿命として）無視できるレベルだったのですが
微細化＆多値化でどんどん無視できないレベルになりました
量子化のスレッシュも消去回数に応じてシビアになりますので
更にデータ保持が厳しくなります（特に多値セル）
また、私が聞いた範囲で、NANDにECCが必須なのは
・データが化けるから
・歩留まりあげるため（セルが死んでてもECC訂正込みでOKならOK）
との事でした
Re: (スコア:0)
そんなことしてません、元コメが単なるデマです。
むしろ電源入れない方がデータ化けが減ります。
最近特に問題なのが、Read Disturbと呼ばれる、書き込みしなくても読み込みしたときに隣のセルのデータが化ける現象。
もちろんエラー訂正等で十分に問題ないレベルに抑えられてますが、Readだけでもしない方がデータ保持には有利です。
Re: (スコア:0)
時代やメーカーにもよるかもしれないけど、そんなことをしているところはしてますよ。
Read disturbが起こるのは事実だけど、エラー訂正を抜きにした素のNANDのdata retentionが弱くなったのも事実。
なので、どちらか一方を無視するのではなく、いい塩梅でバランスを取ります。
Data retentionは3D化で少し盛り返したので、今のところ2D末期が最弱。
Re: (スコア:0)
エラー訂正は電源入れてようが入れてなかろうが、読みだすときには働くから関係ないかと。
メモリセルのリフレッシュをここ数年のNANDフラッシュでやってますか？
書き換え可能回数が少ないNANDフラッシュではしないと思うけど。
Re:電源切ってデータが保持される期間も考慮してほしい (スコア:1)
// やっと見つけた! とはいえ eMMC でもやっているところはやっているので(どこかのデータシートで見た…)