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アレゲはアレゲを呼ぶ -- ある傍観者
メモリのリーク≠CPUのリーク (スコア:4, 参考になる)
つまり、リフレッシュレート(DRAMの現在の主流は64ms)を長くしても データ保持はできますよ、という意味のようです。
対してCPUのリーク電流の話は、配線自身がキャパシタの役割をしてしまい、
配線の入力側で電位の変化があっても、その情報が配線上で中和されてしま
Re:メモリのリーク≠CPUのリーク (スコア:1)
>対してCPUのリーク電流の話は、配線自身がキャパシタの役割をしてしまい、
昔からそうですけど？
＃配線間容量とか、層間容量とか、配線交差部分の容量とかは
＃ずっと昔からあった話ですが。
当然ながら、物理的な体積を持つ配線が、容量成分も持つのは
当たり前の話ですし。
今の時点でなぜリークが増えるかの説明ではないですねえ。
>配線の入力側で電位の変化があっても、その情報が配線上で中和されて
……嘘でしょう？
容量成分で印加電圧の変化を起こすなんてのは聞いたことないですが。
＃クロストークやチャージ時間のために時間的な遅れが出る、ってのは
＃なくはないけど、電圧をキャパシタンスが消費するなんて
＃ほとんどあり得ない話だと思いますよ。
>しまって、出力側で検出できない、ということだと思います。
最近のミクロンルールでは、配線の幅も狭くなり、配線層の厚みも
薄くなっているので、抵抗性分はかなり大きくなってますから、
抵抗によって熱として電流、電圧が消費されるってのはありますよ。
＃だから、抵抗が小さい銅配線がもてはやされるわけで。
しかし、トランジスタから出力された信号が次段のトランジスタに
届かない、ってのは、リークとは無関係な話だと思うんですが。
＃説明してるのって配線のIR-Dropなどで次段に信号を伝えるのに
＃短い配線でなければならない、ってことですよね？
＃その際に用いられるのは動作電流であって、リーク電流ではないと思います。
>出力側で検出できるようにするためには電位変化を大きくする必要が
>あるので、結果として消費電力が大きくなるのでしょう。
なんかここもリーク電流の説明じゃないなあ。
確かに、配線間が詰まって配線間容量が他のパラメータに比べて
大きくなっていますし、細くなって抵抗が大きくなった配線で、
配線間容量も見えてしまう状況で次段のゲートに電荷を蓄積するのは大変なことです。
抵抗で消費されきらないように動作電流も一杯必要になるし、容量成分も
通常の孤立配線より多く見えますから、充電するのに電流は大きくなければ
ならないですね。
でも、それは動作電流が多くなることであって、リークとは無関係ではないでしょうか？
---- redbrick
Re:メモリのリーク≠CPUのリーク (スコア:0)