パスワードを忘れた? アカウント作成
15376 story

Si貫通電極とは異なる、低コストな新3次元積層技術 2

ストーリー by GetSet
勉強しまっせ 部門より

elfbin 曰く

Vertical Circuits社が、 Siダイを3次元に積層する Si貫通電極に類似し、かつ低コストな技術を開発したと発表したとのこと。 このVIP(Vertical Interconnect Pillar)と呼ぶ技術は、薄い絶縁膜を表面に形成したSiダイを 積層し、Siダイの側面に配線を作り込むもので、Siダイの設計やレイアウトに変更を加える必要がない という利点があるとのこと。そのあたりの兼ね合いでSi貫通電極よりは低コストということか。

この議論は賞味期限が切れたので、アーカイブ化されています。 新たにコメントを付けることはできません。
  • この方法だと、ダイ(と言うかウェハ)の表面・裏面だけでなく、断面(と言うかダイ側面)の部分もかなり高精度の研磨が必要な気がするんですが
    …アイデアはいいんですけど、一個のチップを作るコストとしては「断面の研磨」と言う工程が必要になって、かなりのコストがかかるような気がするのですが。
     それとも、層間に多少の凹凸があっても大丈夫な層間結合方法を編みだしたのでしょうかね?
  • by Anonymous Coward on 2007年05月10日 9時15分 (#1155035)
    何層も重ねて、ワンチップキューブPCが作れるってこと?
typodupeerror

身近な人の偉大さは半減する -- あるアレゲ人

読み込み中...