8Gbitの相変化メモリが実現

tarbz2 曰く、

PC WatchのISSCC 2012レポートによれば、Samsung Electronicsが、20nmと極めて微細な製造技術で8Gbitと大きな容量の相変化メモリの試作を実現したとのことだ。これは記憶容量で相変化メモリがDRAMを追い越したことを意味し、シリコンダイ面積が59.4平方mmということで、DRAMとあまり変わらなく、原理的には製造コストでも追いついたことを意味する。
次世代大容量不揮発性メモリの候補として、抵抗変化メモリ(ReRAM)と磁気メモリ(MRAM)が存在するが、ここで相変化メモリが一歩抜け出したかもしれない。