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Intelが45nmプロセスのCPUを試作、high-kゲート絶縁膜を採用
タレコミ by glasstic
glasstic 曰く、
MYCOMの記事や Intelの発表によると、 Intelが45nmプロセスのCPUを試作し、high-kゲート絶縁膜とメタルゲートを採用した事を発表した。 同プロセスを採用したCore2ファミリのCPU「Penryn」のサンプルでは、既に主要なOSが動作しているそうだ。
65nmプロセスに比べて、動作時の電力を30%削減、20%の速度向上、ゲートリーク電流1/10を達成できるという。 誘電率が高いhigh-kゲート絶縁膜とメタルゲートを採用したことにより、性能を落とすことなく、大幅にゲートリーク電流を削減できたようだ。
一方、ライバルのAMDの45nmプロセス(45nmはIBMと共同開発)に関する発表も昨年末にあったが、high-kゲート絶縁膜は採用されていない。 65nmプロセスでも、低消費電力化ではIntelがリードしている観があるが、次世代でもIntelの優位は変わらないのだろうか。