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中国科技院、メモリー・リングを活用した新型MRAMの開発に成功 22

ストーリー by kazekiri
スペックが分からないな 部門より

dailycn 曰く、

中国科技院(Chinese Academy of Sciences)の物理研究所のHan Xiufeng教授が率いる研究チームが、メモリー・リングを活用した新型MRAMの開発に成功したと発表したらしい(EE Times Japan中国科技院のリリース)。 開発した新型MRAMは、情報の格納にナノスケールのリング状磁気トンネル接合(NR-MTJ:Nanometer-scale Ring-shaped Magnatic Tunnel Junction)を 使い、メモリー・セルに情報を書き込む際は、正と負のパルス電流を使って磁気モーメントを回転させることで行うとのこと。 新型MRAMの原理、構造を採用すれば、既存のものに比べて消費電力を削減でき、メモリー・セルの小型化を実現できるらしい。

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ナニゲにアレゲなのは、ナニゲなアレゲ -- アレゲ研究家

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